到目前為止平面拋光機的拋光是唯一可實現(xiàn)單晶硅片全局平面化的技術(shù)設(shè)備,采用該方法可使整個硅片獲得超光滑和無損傷的表面。其中,拋光液的質(zhì)量是影響CMP效果的一個關(guān)鍵因素。目前,硅片CMP普遍使用粒徑為50~70 nm的球形SiO2為磨粒。作為一種高效拋光粉,納米CeO2已廣泛應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路SiO2介質(zhì)層和隔離溝槽的化學機械拋光,具有高拋光效率和高表面質(zhì)量等優(yōu)點。有研究表明,將球型納米CeO2用于單晶硅片的化學機械拋光時,其拋光效率比球形SiO2高。

不過,平面拋光機納米CeO2拋光硅片的研究還處在初始階段,拋光液制備技術(shù)及相關(guān)拋光機理有待進一步完善。我國稀土鈰資源居世界首位,如能開發(fā)出適于硅片拋光的納米CeO2拋光液,將會促進硅片超精密加工技術(shù)的發(fā)展,社會經(jīng)濟效益可觀。由此可見稀土拋光粉在單晶硅片的拋光過程中有著重要的作用，對單晶硅片的平面拋光機市場也有著相當大的影響。單晶硅片的平面拋光機技術(shù)在行業(yè)內(nèi)的應(yīng)用前景非常大，發(fā)展還有很大空間。